Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂ B₆ та A₃ B₅ ) : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Альона Федорівна Дяденчук ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України.

By: Дяденчук А. ФContributor(s): Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України КиївMaterial type: TextTextLanguage: українська Publication details: Київ : Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. 2018. Description: 19 сContent type: текст Media type: прямий доступ Carrier type: книгаSubject(s): Технологія електронної техніки. Обладнання та виробництво електронної техніки | 621.315.592 | Д99Dissertation note: канд. техн. наук 05.27.06 Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова Summary: ПЛІВКА, ПОРУВАТИЙ НАПІВПРОВІДНИК
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Star ratings
    Average rating: 0.0 (0 votes)
Holdings
Item type Current library Call number Status Date due Barcode
Автореферати дисертацій Автореферати дисертацій Книгосховище

Книгосховище на І поверсі головного навчального корпусу

 621.315.592 (Browse shelf(Opens below)) Available 4084-A
Browsing НБ ДонНУ імені Василя Стуса shelves Close shelf browser (Hides shelf browser)
621.315.592 Кінетичні ефекти в багатодолинних напівпровідниках : монографія / 621.315.592 Удосконалення технології виготовлення кремнієвих сонячних елементів для роботи при підвищених рівнях збудження : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / 621.315.592 Фотоелектричні процеси в фоточутливих кремнієвих структурах з пасивованою поверхнею : автореф. дис. ... канд. фіз-матем. наук : 01.04.07 / 621.315.592 Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂ B₆ та A₃ B₅ ) : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / 621.315.592.3 Вплив радіаційних і фонових дефектів на властивості GaAs,CdTe,CdZnTe і детекторів іонізуючих випромінювань на їх основі : автореферат дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.21 / 621.315.592:551.52 Радіаційні ефекти в монокристалічному кремнії : 621.315.593 Розроблення світловипромінювачів та фотодетекторів на основі гетерошарів ІІ-УІ сполук : автореферат дис. ... д-ра технічних наук : 05.27.01 /

канд. техн. наук 05.27.06 Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова

Бібліогр.: с. 15-17

ПЛІВКА, ПОРУВАТИЙ НАПІВПРОВІДНИК

There are no comments on this title.

to post a comment.

Powered by Koha